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　　離子注入機是芯片制造中的核心關鍵裝備。中國電科連續(xù)突破大流強長壽命高品質離子源、高速晶圓傳輸?shù)群诵年P鍵技術，自主研制中束流、大束流、高能、特種應用及第三代半導體等離子注入機，工藝段覆蓋至28nm，累計形成核心發(fā)明專利413項，實現(xiàn)我國芯片制造領域全譜系離子注入機自主創(chuàng)新發(fā)展，有效緩解我國芯片制造領域斷鏈、短鏈難題。

　　截止到目前，中國電科已成功實現(xiàn)離子注入機全譜系產品國產化，可為全球芯片制造企業(yè)提供離子注入機一站式解決方案。下一步，將瞄準高端，緊跟先進工藝發(fā)展，加快推進適用于更先進工藝節(jié)點離子注入機的研發(fā)及產業(yè)化。